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IXFN 120N20
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
V DS = 10 V; I D = 0.5 ? I D25
Note 1
40
77
S
C iss
9100
pF
C oss
C rss
t d(on)
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
2200
1000
42
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 ? (External),
55
110
40
ns
ns
ns
M4 screws (4x) supplied
Dim. Millimeter
Min. Max.
Min.
Inches
Max.
A
31.50
31.88
1.240
1.255
Q g(on)
360
nC
B
C
7.80
4.09
8.20
4.29
0.307
0.161
0.323
0.169
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
50
160
nC
nC
D
E
F
4.09
4.09
14.91
4.29
4.29
15.11
0.161
0.161
0.587
0.169
0.169
0.595
G
30.12
30.30
1.186
1.193
R thJC
R thCK
0.05
0.22
K/W
K/W
H
J
K
L
38.00
11.68
8.92
0.76
38.23
12.22
9.60
0.84
1.496
0.460
0.351
0.030
1.505
0.481
0.378
0.033
M
N
O
12.60
25.15
1.98
12.85
25.42
2.13
0.496
0.990
0.078
0.506
1.001
0.084
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
P
Q
R
4.95
26.54
3.94
5.97
26.90
4.42
0.195
1.045
0.155
0.235
1.059
0.174
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
S
4.72
4.85
0.186
0.191
T
24.59
25.07
0.968
0.987
I S
V GS = 0 V
120
A
U
-0.05
0.1
-0.002
0.004
I SM
Repetitive;
480
A
pulse width limited by T JM
V SD
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = 50A,-di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.1
13
1.5
250
V
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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